电子器件EOS的分析与设计-开运全站下载

电子产品在用于过程中，某种程度都不存在浪涌的阻碍，现在的电子产品或者是智能设备有的有用于直流电源＆电池或AC电源的供电系统，系统由于阻抗电流的减少，在用于过程中有可能不存在瞬态电流的冲击，瞬间的尖峰电流不会对器件产生过低的电压或电流形变。以下器件的内部分析如下：物理分析内部故障情况图片；以下为明确的驱动掌控IC故障故障剖面图；RootCause：ElectricaloverstressappliedonPin5（GATE）－EOS（涉及结论IC厂家大多以英文方式得出）EOS的含义：EOS是ElectricaloverStress的简写，指所有的过度的电性形变，过度电性形变是指当外界电流或电压多达器件的仅次于容许条件时，器件性能减少甚至损毁。在大多的器件过热案例中，电子元器件内部电路与参照地之间不存在有所不同电位之间构成了短路状况，产生过电流而导致元器件损毁。

此为大多数电子器件过热的主要因素。EOS产生的原因上面所指的过度性形变为EOS，如下的原因就有可能造成EOS问题的产生！1．外界雷电浪涌的感应器Surge2．由于大电流的不存在，电源瞬态上电引发的浪涌Surge多达了IC所忍受的范围。3．电路板上电源器件及电路可能会造成电路板内部经常出现高压尖峰，进而传导到电路板上的其它方位及器件上；4．电子线路中因为很差的PCB短路相连回头线造成地平面的噪声过大，产生大的电压劣；5．电子产品或电子设备在强劲的电磁环境用于，受到其它电磁场的阻碍而引发电子线路内部器件的损毁；6．MCU及IC控制器展开电源操作者产生I／O口的过冲及负电压问题；7．电子产品或电子设备的模块连接线展开热插拔引发的浪涌Surge冲击问题；8．电子产品及设备的应用于场合由于ESD的不存在，从而引发器件的损毁。EOS与ESD的差异ESD是ElectrostaticDischarge的简写即静电静电。

静电是一种电能，它不存在于物体表面，是于是以负电荷在局部流失时产生的一种现象。静电测试主要是仿真人体，机器，器件之间的阻碍过程，同时检验产品在适当的电磁环境中的抗干扰能力。

ESD的现象可能会导致系统的误动作，相当严重的现象不会损毁IC内部的电路结构。EOS的电性能特征：一般不会导致IC器件内部的金属回头线短路，内部功能电路损毁，焚毁，功能的失去等等；由此可以辨别ESD是EOS的一种过热现象！EOS的损毁特性EOS从展现出的现象来看：一般不会损毁IC，PCB－Trace血迹，IC内部器件开路，短路；根据电子元器件的少见原因分析中，EOS占到47％是所有元器件的过热之最。EOS在器件内部的维护电路问题；通过PN结／二极管、三极管、MOS管、snap－back展开器件的内部功能单元维护，通过PN结二极管的理论，二极管有一个特性：于是以一行合偏移累计，而且反偏电压之后减少不会再次发生雪崩穿透而导通，我们称作钳位二极管（Clamp）。

这正是我们设计静电保护所必须的理论基础，我们就是利用这个偏移累计特性让这个旁路在长时间工作时正处于插入状态，而外界有静电的时候这个旁路二极管再次发生雪崩穿透而构成旁路通路维护了内部电路或者栅极！对于目前的常用器件的内部电子线路的维护电路使用内部Transistor（维护晶体管）误动作进而启动时ESDcellsnapback，高能量的EOS不会造成ICpin经常出现较低电阻和大电流，引起外部器件或IC损毁故障。以上为IC的常用内部Transistor（维护晶体管）误动作进而启动时ESDcellsnapback单元设计；对应一定能量的EOS能量，一般IC是不会符合涉及的设计标准；经常由于不当布局在强劲的浪涌Surge工作状况下：在展开低电压共模浪涌（低电压正负脉冲）测试时，IC－VCC电流由于内部Transistor接管到出现异常的高电压脉冲；内部Transistor受到阻碍经常出现误将启动时状态；内部Transistor（维护晶体管）误动作进而启动时ESDcellsnapback，造成ICpin经常出现较低电阻和大电流，引起外部器件或IC损毁故障，我们由此获得完全对于IC来讲所有分析的结论的EOS＝RootCause：Electricaloverstressappliedon＊＊＊＊＊更加多设计应用于实践中及技术交流；请求注目阿杜老师！杜佐兵电磁兼容（EMC）线上＆线下高级讲师杜佐兵老师在电子行业从业近20年，是国家电工委员会高级登记EMC工程师，武汉大学光电工程学院、光电子半导体激光技术专家。目前专心于电子产品的电磁兼容设计、开关电源及LED背光驱动设计。

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